首先來了解一下霍爾開關與普通接近開關的區(qū)別：

一、定義不同當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，以這種磁敏元件來進行控制的開關為霍爾開關。普通接近開關是一種無需與運動部件進行機械直接接觸而可以操作的位置開關，當物體接近開關的感應面到動作距離時，不需要機械接觸及施加任何壓力即可使開關動作，從而驅(qū)動直流電器或給計算機（plc）裝置提供控制指令。

二、原理不同霍爾開關的原理是霍爾效應，即通電金屬或半導體薄片通電產(chǎn)生電位差。普通接近開關的原理利用位移傳感器對接近物體的敏感特性達到控制開關通或斷的目的。

三、特點不同霍爾開關具有無觸點、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內(nèi)部采用環(huán)氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環(huán)境下可靠的工作。比普通接近開關更加靈敏。普通接近開關具有傳感性能，且動作可靠，性能穩(wěn)定，頻率響應快，抗干擾能力強等、并具有防水、防震、耐腐蝕等特點。但是在靈敏度和使用壽命方面不如霍爾開關。

四、檢測對象不同霍爾開關接近開關的檢測對象必須是磁性物體。普通接近開關的檢測對象不限于導體，可以絕緣的液體或粉狀物等。

霍爾開關的外形跟三極管的外形差不多,體積很小,屬于電子元器件

當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為U=KIB     其中K為霍爾系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。     由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。     

霍爾開關就屬于這種有源磁電轉(zhuǎn)換器件，它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉(zhuǎn)換成實際應用中的電信號，同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。     

霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B 來表征的，當B 值達到一定的程度時，霍爾開關內(nèi)部的觸發(fā)器翻轉(zhuǎn)，霍爾開關的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉(zhuǎn)。輸出端一般采用晶體管輸出，和接近開關類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型（雙極性）、雙信號輸出之分。    

 霍爾開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內(nèi)部采用環(huán)氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環(huán)境下可靠的工作。霍爾開關可應用于接近開關，壓力開關，里程表等，作為一種新型的電器。